高速高质 均匀高产
适用碳化硅晶体外延环节
产品特点
高速高质
采用TCS为硅源可实现高达60um/h的高质量快速外延。
均匀高产
可以产出掺杂均匀性小于5%，厚度均匀性小于2%，DIE良率大于95%的优质外延片产品。
稳定行高
水平式设备相比于垂直式设备造价更低，同时兼备气体流量输入稳定、PM性能优良等特点。
技术参数
| 型号 | EPI-MF-8 |
| 产品规格 | 兼容6-8英寸碳化硅等衬底气相沉积 |
| 具备工艺 | 具备 N 型和 P 型掺杂工艺，掺杂源可选择性配置 |
| 控温范围 | ≤1700℃ |
| 控温精度 | ±0.5℃ |
| 高温传片温度 | 900℃ |
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