PVT-RS-40
碳化硅电阻式长晶炉
用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，上装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。
紧凑布局 适用广泛
用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，上装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。
产品特点
紧凑布局
结构紧凑，可采用并排布局，提高厂房利用率。
适用广泛
适用于6、8、12英寸，导电/高纯半绝缘型SiC晶体生长。
温场均匀
坩埚系统具备升降、旋转功能，温场更均匀。
操作便捷
技术参数
| 型号 | PVT-RS-40 |
| 尺寸：整机长 x 宽 x 高 | 2550x2550x3460mm |
| 加热方式 | 电阻加热 |
| 可选配置 | 双测温点、多加热器 |
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