PVT-RS-40
碳化硅电阻式长晶炉
用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，上装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。
紧凑布局 适用广泛
用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，上装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。
技术参数
成熟的热场设计
轴径分离，有利于缺陷控制；良好的径向温场，可实现低应力，低裂损，晶体厚度可达20-30mm。
工艺适配性
可配备多个加热器并独立控制，便于调整温度梯度。
智能化
一键启动、可集中监控，人员需求少，可根据客户需 求，定制长晶环节自动化生产线。
其他优势
上下料方便拆卸，热场使用寿命长，坩埚提拉稳定性 好，电源抗干扰，稳定性强。
产品特点
| 型号 | PVT-RS-40 |
| 尺寸：整机长 x 宽 x 高 | 2550x2550x3460mm |
| 加热方式 | 电阻加热 |
| 可选配置 | 双测温点、多加热器 |
Copyright©2024
