PVT-RS-35(A/D)
碳化硅双加热器电阻式长晶炉
用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，上装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。
结构紧凑省空间
用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，上装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。
产品特点
结构紧凑省空间
结构紧凑，可采用并排布局，提高厂房利用率。
双控模式更节能
加热控制方式可在功率或者温度控制二种模式任意选择。
独立控制便于条纹
双加热器并独立控制，便于调整温度梯度。
满足6/8吋晶体生长
满足6/8吋半绝缘/导电晶体生长需求。
精准旋转保温均
籽晶轴旋转功能，精度±0.01rpm，便于营造径向温度均匀环境，满足厚晶体生长。
智能算法控精度
设备控制系统采用多种先进算法，控制精度高。
智能化
可根据客户需求，定制长晶环节自动化生产线。
技术参数
| 型号 | PVT-RS-35(A/D) |
| 尺寸：整机长 x 宽 x 高 | 2600X3000X3800mm |
| 装料方式 | 上部装料 |
| 可选配置 | 热场及基础工艺包 |
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