KX80FZ

悬浮区熔单晶炉


悬浮区熔单晶炉是一种利用高频感应加热使处于悬浮状态的半导体材料熔区在籽晶和多晶棒之间移动,从而生长出高质量单晶的设备

全兼容 精准耐用


悬浮区熔单晶炉是一种利用高频感应加热使处于悬浮状态的半导体材料熔区在籽晶和多晶棒之间移动,从而生长出高质量单晶的设备
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产品特点

 

全兼容

兼容8吋及以下规格单晶生长。

精准耐用

设备运行精度高且长期稳定。

高精控压

真空、正压控制精度高。

视觉智检

视觉检测精确可靠,能够实时、全方位监控熔区状态。

可选配置

机械手辅助上料系统、液压取料车、半自动关门系统。

 

 

技术参数

 
型号 KX80FZ
适用规格单晶直径 ≤8英寸
整机尺寸 5750×4500×12350mm
真空度(mbar) ≤0.02

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