自动连续加料

用于半导体级晶体生长

产品特点

自动连续加料

自动连续加料系统:连续给料速率线性可调，实时给料速率波动＜±10g/min。

掺杂系数高

自动连续掺杂系统:联动闭环控制，动态按比例连续固体掺杂，有效掺杂系数较气象掺杂工艺高2~3倍。

电阻率精准控制

长晶工艺:可实现窄电阻率分布硅晶体的电阻率精准控制，生长径向和轴向电阻均匀分布晶体。

生产优势

产能提升不依赖于坩埚投料量、炉体、热场尺寸扩大等常规方式，生产效率高成本低。

自主研发的配套工艺成果

① 10inch镓掺杂P型晶体:整根轴向电阻率0.6-0.7ohm.cm，径向电阻率RRG＜6.0%。
② 8inch磷掺杂N型超低阻晶体:头部电阻率＜0.001ohm.cm，径向电阻率RRG＜6%。

整机尺寸	(LWH)2000X2300X10800mm
加料容量	1000kg 可定制
掺杂系统	高精度连续在线固体掺杂，控制精度±0.01g
主腔室内径：1400mm 副炉室内径：350mm	兼容 24~34 英寸 RCZ 和 32~34 英寸 CCz 热场，可拉制10 英寸以下直径的晶体
加热方式	电阻加热，DC 电源 Pmax=150:50kW
装料方式	主炉室侧向连续外部加料装置 (容量 1200kg)+ 动态在线硅料补充装置 + 石英场内预装；加料速度可在 20g-600g/min 范围内线性调控，控制精度 ≤ 500g/ h