结构稳固 一键操作
用于12吋半导体级晶体生长
产品特点
结构稳固
设备结构采用有限元分析设计，安全性更高的同时运行稳定性和重复性极佳。
腔室洁净
腔室采用316L不锈钢材料，360°镜面抛光，洁净易清理保证高纯长晶环境。
控制精确
采用先进的控制算法和视觉算法，有效直径控制范围可达目标直径±0.05mm。
一键操作
一键长晶级的软硬件控制逻辑，精准的防护监控预警系统支撑设备持续高效稳定运行。
磁场兼容
软硬件预留接口均可兼容国内外先进的超导水平磁场，满足客户多样化的磁场配套需求。
压力精准
高精度蝶阀和质量流量计配合主动自清洁尾气过滤系统，炉室压力可控范围更大更精准。
加热器可调
配备加热器升降机构，为工艺窗口调整提供更多可能(选配)。
技术参数
| 型号 | KX360MCZ |
| 炉室内径 | Φ1400mm |
| 副室高度 | 3500-5000mm（可定制） |
| 副室直径 | Φ400mm |
| 应用领域 | 半导体300mm COP free晶体生产制造 |
| 最大晶体直径 | 12 英寸 |
| 热场尺寸 | Min~32inch-Max~36inch |
| 磁场类型 | 标配水平超导磁场，其他类型可根据客户要求配套 |
| 装料量 | 650kg |
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